W66BP6NBUAGJ

Winbond W66BP6NBUAGJ - Circuit intégré de mémoire SDRAM LPDDR4 2 Gbit

La puce mémoire SDRAM LPDDR4 2 Gbit W66BP6NBUAGJ de Winbond Electronics est une solution haute performance conçue pour les applications mobiles et embarquées exigeant une faible consommation et un transfert de données rapide. Avec une fréquence d'horloge de 1,866 GHz et un temps d'accès rapide de 3,5 ns, ce circuit intégré mémoire garantit des performances fiables même dans des conditions de fonctionnement difficiles, de -40 °C à 105 °C.

Caractéristiques principales :

• Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 1,866 GHz avec un temps d’accès de 3,5 ns
• Organisation de la mémoire optimisée : configuration 128 Mo x 16 pour une gestion efficace des données
• Conception basse consommation : double alimentation (1,06 V-1,17 V, 1,7 V-1,95 V) pour applications mobiles
• Large plage de températures de fonctionnement : de -40 °C à 105 °C pour une utilisation industrielle et automobile
• Boîtier compact : boîtier CMS 200-WFBGA (10 x 14,5 mm)
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales

Applications :

Idéal pour les smartphones, les tablettes, les systèmes d'infodivertissement automobiles, les appareils IoT et autres plateformes informatiques mobiles nécessitant des solutions de mémoire hautes performances et basse consommation.

Spécifications techniques complètes :

Documentation : Fiche technique complète et ressources techniques disponibles pour faciliter l'intégration au design.

Produits et ressources associés :

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