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W66BP6NBUAHJ
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W66BP6NBUAHJ - Circuit intégré de mémoire SDRAM LPDDR4 mobile de 2 Gbit
La W66BP6NBUAHJ de Winbond Electronics est une mémoire SDRAM LPDDR4 mobile haute performance de 2 Gbit conçue pour les applications exigeantes des secteurs automobile, industriel, médical et des télécommunications. Dotée d'une organisation mémoire de 128 Mbits x 16 et fonctionnant à 2,133 GHz, cette puce mémoire offre une vitesse et une fiabilité exceptionnelles sur une large plage de températures allant de -40 °C à 105 °C.
Caractéristiques principales :
- Mémoire SDRAM LPDDR4 de 2 Gbits avec organisation 128M x 16
- Fonctionnement à haute vitesse à une fréquence d'horloge de 2,133 GHz
- Temps d'accès ultra-rapide de 3,5 ns et cycle d'écriture de 18 ns
- Large plage de températures de fonctionnement : -40 °C à 105 °C (TC)
- Alimentation à double tension : 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
- Boîtier compact 200-WFBGA (10 x 14,5 mm) pour montage en surface
- Conforme à la directive RoHS pour la sécurité environnementale
- Interface mémoire LVSTL_11
Applications : Appareils mobiles, systèmes d'infodivertissement automobile, systèmes de contrôle industriel, équipements médicaux, infrastructures de télécommunications et plateformes informatiques embarquées nécessitant une mémoire volatile haute densité et haute vitesse avec une tolérance aux températures étendue.
S'appuyant sur la réputation de qualité et de fiabilité de Winbond, le W66BP6NBUAHJ offre une traçabilité complète et une documentation de conformité (RoHS/REACH) pour répondre à vos exigences de conception et à vos besoins d'approvisionnement à l'échelle de la production.
Spécifications techniques complètes
Ressources connexes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - LPDDR4 mobile |
| Taille de la mémoire | 2 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 128M x 16 |
| Interface mémoire | LVSTL_11 |
| Fréquence d'horloge | 2,133 GHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 18ns |
| Temps d'accès | 3,5 ns |
| Tension - Alimentation | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 200-WFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 200-WFBGA (10x14,5) |
| RoHS |  |
W66BP6NBUAHJ.pdf