W66BP6RBHAHJ TR

Circuit intégré de mémoire LPDDR4 Winbond W66BP6RBHAHJ TR - 2 Go

Circuit intégré de mémoire LPDDR4 haute performance de 2 Go de Winbond Electronics, conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications. Ce composant dispose d'une architecture x16 fonctionnant à 2 133 MHz avec une plage de températures étendue (de -40 °C à 105 °C), ce qui le rend idéal pour les systèmes critiques nécessitant des performances mémoire fiables dans des conditions environnementales extrêmes.

Caractéristiques principales :

• Capacité de mémoire LPDDR4 de 2 Go avec configuration de bus de données X16
• Fréquence de fonctionnement de 2133 MHz pour le transfert de données à haut débit
• Plage de température étendue : -40 °C à 105 °C (qualité industrielle/automobile)
• Conditionnement en bande et bobine (TR) pour les processus d'assemblage automatisés
• Conforme à la norme RoHS - fabrication respectueuse de l'environnement
• Documentation complète du fabricant et traçabilité incluses
• Stock du distributeur agréé avec engagement à long terme

Applications :

Idéal pour l'avionique aérospatiale, les systèmes d'infodivertissement et ADAS automobiles, les contrôleurs d'automatisation industrielle, l'infrastructure de télécommunications, les dispositifs médicaux et autres applications nécessitant une mémoire haute densité et haute vitesse avec un fonctionnement à température étendue.

Qualité et authenticité :

Chaque composant W66BP6RBHAHJ TR provient directement de distributeurs agréés Winbond, garantissant des pièces 100 % authentiques, assorties de la garantie et du support complets du fabricant. La documentation complète inclut les fiches techniques, les notes d'application et le certificat de conformité, pour une intégration en toute confiance et une conformité réglementaire assurée.

Spécifications techniques :

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