-
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
W66BQ2NQQAFJ
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
Impossible de charger la disponibilité du service de retrait
Winbond W66BQ2NQQAFJ - Circuit intégré de mémoire SDRAM mobile LPDDR4X 2 Gbit
La mémoire Winbond W66BQ2NQQAFJ est une SDRAM mobile LPDDR4X 2 Gbit hautes performances, conçue pour les applications exigeantes nécessitant des solutions de mémoire fiables et rapides. Avec une fréquence d'horloge de 1,6 GHz et un temps d'accès de 3,6 ns, ce circuit intégré mémoire offre des performances exceptionnelles pour les systèmes mobiles, automobiles, industriels et embarqués.
Caractéristiques principales :
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 1,6 GHz avec un temps d’accès de 3,6 ns
- Grande capacité : 2 Gbit (64 Mbit/s x 32 organisations)
- Faible consommation d'énergie : technologie LPDDR4X optimisée pour les applications mobiles
- Large plage de températures de fonctionnement : de -40 °C à 105 °C pour les applications industrielles
- Boîtier compact : montage en surface 200-TFBGA (10 x 14,5 mm)
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales.
Applications :
Idéal pour les systèmes d'infodivertissement automobile, les équipements de contrôle industriel, les dispositifs médicaux, les infrastructures de télécommunications et les plateformes informatiques embarquées à haute fiabilité nécessitant un support à long terme.
Pourquoi choisir ce composant :
En tant que distributeur agréé, nous fournissons des composants Winbond 100 % authentiques, avec une traçabilité complète, la documentation du fabricant et des garanties de disponibilité à long terme. Chaque unité provient directement de Winbond Electronics et est certifiée conforme aux normes RoHS/REACH.
Spécifications techniques complètes :
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - LPDDR4X mobile |
| Taille de la mémoire | 2 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 64M x 32 |
| Interface mémoire | LVSTL_06 |
| Fréquence d'horloge | 1,6 GHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 18ns |
| Temps d'accès | 3,6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 200-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 200-TFBGA (10x14,5) |
| RoHS |  |
No datasheet available. Please contact sales@hqickey.com for the latest datasheet.
