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W66BQ2NQQAFJ TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W66BQ2NQQAFJ TR - Mémoire DRAM mobile LPDDR4X haute performance
La mémoire Winbond W66BQ2NQQAFJ TR est une mémoire DRAM mobile LPDDR4X basse consommation de 2 Gbits conçue pour les applications mobiles et embarquées hautes performances. Avec une fréquence d'horloge de 1,6 GHz et une organisation mémoire de 64 Mbits x 32 octets, ce composant offre une vitesse et une efficacité exceptionnelles pour les charges de travail exigeantes.
Caractéristiques principales
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 1,6 GHz avec un temps d’accès de 3,6 ns
- Faible consommation d'énergie : la technologie LPDDR4X est optimisée pour les appareils mobiles et alimentés par batterie.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 105 °C (TC)
- Boîtier compact : boîtier CMS 200-TFBGA (10 x 14,5 mm)
- Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales pour une distribution mondiale
- Prêt pour la production : Conditionnement en bande et bobine pour assemblage automatisé
Applications
Idéal pour les systèmes d'infodivertissement automobile, les appareils IoT industriels, les plateformes informatiques mobiles, les systèmes de vision embarqués et les équipements de télécommunications nécessitant des solutions de mémoire à large bande passante et à faible consommation.
Spécifications techniques complètes
Qualité et conformité
Ce composant bénéficie de la réputation de fiabilité et de qualité de Winbond Electronics. Une documentation complète de traçabilité, des fiches techniques et une assistance technique sont disponibles pour garantir une intégration optimale en conception et en production.
Ressources connexes
Découvrez notre gamme complète de composants de mémoire pour vos besoins en conception de semi-conducteurs. Consultez notre page d'accueil pour parcourir notre catalogue complet de composants industriels ou visitez notre blog technique pour obtenir les dernières informations et notes d'application du secteur.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - LPDDR4X mobile |
| Taille de la mémoire | 2 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 64M x 32 |
| Interface mémoire | LVSTL_06 |
| Fréquence d'horloge | 1,6 GHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 18ns |
| Temps d'accès | 3,6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 200-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 200-TFBGA (10x14,5) |
| RoHS |  |
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