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Winbond Electronics

W66BQ2NQQAGJ TR

Prix habituel €3,95
Prix habituel Prix promotionnel €3,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €3,95 EUR €3,95 EUR
15+ €3,63 EUR €54,45 EUR
25+ €3,56 EUR €89,00 EUR
50+ €3,36 EUR €168,00 EUR
100+ €2,96 EUR €296,00 EUR
N+ €0,59 EUR Price Inquiry
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Quantité
Recycling Electronic Components

Mémoire SDRAM LPDDR4X haute performance Winbond W66BQ2NQQAGJ TR

La mémoire Winbond W66BQ2NQQAGJ TR est une SDRAM LPDDR4X 2 Gbit haute fiabilité conçue pour les applications mobiles et embarquées exigeantes. Offrant des performances et une efficacité énergétique supérieures, ce circuit intégré mémoire délivre une vitesse exceptionnelle grâce à une fréquence d'horloge de 1,867 GHz et un temps d'accès ultrarapide de 3,6 ns.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 1,867 GHz avec un temps d’accès de 3,6 ns pour un fonctionnement système réactif.
  • Architecture mémoire optimisée : capacité de 2 Gbit avec une organisation de 64 M x 32 pour une gestion efficace des données
  • Une large plage de températures de fonctionnement : de -40 °C à 105 °C (TC) garantit un fonctionnement fiable même dans des environnements difficiles.
  • Faible consommation d'énergie : Technologie LPDDR4X avec double alimentation (1,06 V-1,17 V, 1,7 V-1,95 V) pour une autonomie prolongée de la batterie.
  • Boîtier compact pour montage en surface : 200-TFBGA (10 x 14,5 mm) pour les conceptions à espace restreint
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications idéales

Idéal pour les appareils mobiles, les smartphones, les tablettes, les systèmes d'infodivertissement automobiles, les appareils IoT et les plateformes informatiques embarquées nécessitant des solutions de mémoire haute vitesse et basse consommation avec une tolérance aux températures étendues.

Spécifications techniques

Qualité et conformité

Fabriqué par Winbond Electronics, un leader reconnu dans le domaine des solutions de mémoire à semi-conducteurs, ce composant est conforme à la directive RoHS et bénéficie d'une documentation technique complète et de ressources d'assistance à la conception.

Conditionnement : Disponible en bande et bobine (TR) pour les processus d'assemblage automatisés, assurant une intégration de production efficace et une protection des composants.


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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Winbond Electronics
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - LPDDR4X mobile
Taille de la mémoire 2 Gbit
Organisation de la mémoire 64M x 32
Interface mémoire LVSTL_06
Fréquence d'horloge 1,867 GHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 18ns
Temps d'accès 3,6 ns
Tension - Alimentation 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 105°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 200-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 200-TFBGA (10x14,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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