W66BQ2NQQAHJ TR

La mémoire Winbond W66BQ2NQQAHJ TR est une solution de mémoire mobile SDRAM LPDDR4X 2 Gbit hautes performances, conçue pour les applications exigeantes des secteurs automobile, industriel, médical et des télécommunications. Ce composant mémoire avancé offre une vitesse exceptionnelle grâce à une fréquence d'horloge de 2,133 GHz et un temps d'accès ultrarapide de 3,6 ns, ce qui le rend idéal pour les systèmes mobiles et embarqués de nouvelle génération.

Dotée d'une organisation mémoire de 64 Mbits/32 octets dans un boîtier compact TFBGA de 200 octets, cette mémoire SDRAM LPDDR4X offre un stockage de mémoire volatile fiable grâce à l'interface LVSTL_06. Fonctionnant sur une large plage de températures, de -40 °C à 105 °C (TC), elle garantit des performances constantes même dans des environnements difficiles.

Caractéristiques et spécifications principales :

• Capacité de mémoire de 2 Gbit avec une organisation de 64 Mbits x 32 bits
• Fréquence d'horloge haute vitesse de 2,133 GHz pour des performances supérieures
• Temps d'accès ultra-rapide de 3,6 ns et temps de cycle d'écriture de 18 ns
• Fonctionnement à double tension : 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
• Plage de température de fonctionnement étendue : -40 °C à 105 °C (TC)
• Boîtier compact 200-TFBGA (10 x 14,5) pour montage en surface
• Conforme à la directive RoHS pour la sécurité environnementale
• Conditionnement en bande et bobine pour assemblage automatisé

Ce composant mémoire Winbond LPDDR4X est conçu pour une disponibilité à long terme et une traçabilité complète, répondant aux exigences strictes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et du médical. Sa faible consommation et ses performances à haute vitesse en font un excellent choix pour l'informatique mobile, les objets connectés et les systèmes embarqués nécessitant des solutions de mémoire fiables et à large bande passante.

Ressources connexes :

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