Winbond W66BQ2NQUAHJ TR - Circuit intégré de mémoire DRAM mobile LPDDR4X 2 Gbit

Winbond W66BQ2NQUAHJ TR - Mémoire vive LPDDR4X haute performance pour appareils mobiles

La puce Winbond W66BQ2NQUAHJ TR est une mémoire SDRAM LPDDR4X 2 Gbit haut de gamme conçue pour les applications mobiles et embarquées critiques. Dotée d'une architecture avancée 64 Mbits x 32 et d'une fréquence d'horloge ultra-rapide de 2,133 GHz, cette solution de mémoire à montage en surface offre des performances exceptionnelles pour les systèmes aérospatiaux, automobiles, industriels, médicaux et de télécommunications.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances à haute vitesse : fréquence d’horloge de 2,133 GHz avec un temps d’accès de 3,6 ns pour un traitement rapide des données
• Faible consommation d'énergie : Technologie LPDDR4X optimisée pour les applications mobiles avec double alimentation (1,06 V-1,17 V / 1,7 V-1,95 V)
• Plage de températures étendue : fonctionnement de -40 °C à 105 °C (TC) pour les environnements industriels difficiles
• Boîtier compact : conception à montage en surface 200-WFBGA (10 x 14,5 mm) pour les applications à espace restreint
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.
• Approvisionnement fiable : Conditionnement en bande et bobine pour assemblage automatisé et longue durée de vie

Applications idéales

Cette mémoire DRAM LPDDR4X est parfaitement adaptée aux applications exigeantes telles que les appareils informatiques mobiles, les systèmes d'infodivertissement automobiles, les contrôleurs industriels, les équipements d'imagerie médicale et les infrastructures de télécommunications où la fiabilité, les performances et la disponibilité à long terme sont essentielles.

Spécifications techniques complètes

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