W66BQ6NBQAHJ
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W66BQ6NBQAHJ - Circuit intégré de mémoire DRAM mobile LPDDR4X haute performance
La W66BQ6NBQAHJ de Winbond Electronics est une puce mémoire SDRAM LPDDR4X 2 Gbit haut de gamme, conçue pour les applications mobiles et embarquées hautes performances. Cette solution mémoire avancée offre une vitesse et une fiabilité exceptionnelles pour les systèmes critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie et des télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 2,133 GHz et un temps d’accès de 3,6 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Architecture mémoire optimisée : l'organisation 128 Mo x 16 assure une gestion efficace des données
- Faible consommation d'énergie : Technologie LPDDR4X avec double alimentation (1,06 V-1,17 V, 1,7 V-1,95 V) pour un fonctionnement écoénergétique
- Plage de températures étendue : plage de fonctionnement de -40 °C à 105 °C (TC) pour les environnements difficiles
- Conception compacte pour montage en surface : le boîtier 200-TFBGA (10 x 14,5 mm) optimise l’espace sur la carte.
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Spécifications techniques
Applications
Le W66BQ6NBQAHJ est idéal pour les applications exigeantes, notamment :
- appareils informatiques mobiles et smartphones
- Systèmes d'infodivertissement et ADAS automobiles
- Systèmes de contrôle industriels et dispositifs IoT
- Équipements médicaux et systèmes de diagnostic
- Infrastructure de télécommunications
- applications aérospatiales et de défense
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - LPDDR4X mobile |
| Taille de la mémoire | 2 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 128M x 16 |
| Interface mémoire | LVSTL_06 |
| Fréquence d'horloge | 2,133 GHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 18ns |
| Temps d'accès | 3,6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 200-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 200-TFBGA (10x14,5) |
| RoHS |
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