W66BQ6NBUAGJ TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Mémoire vive Winbond W66BQ6NBUAGJ TR - SDRAM LPDDR4X haute performance de 2 Gbits
La mémoire W66BQ6NBUAGJ TR de Winbond Electronics est une mémoire SDRAM LPDDR4X mobile haut de gamme de 2 Gbits, conçue pour les applications exigeantes nécessitant une faible consommation d'énergie et une fiabilité exceptionnelle. Cette solution mémoire avancée offre une fréquence d'horloge de 1,866 GHz et une organisation de 128 Mbits x 16, ce qui la rend idéale pour les systèmes aérospatiaux, automobiles, industriels, médicaux et de télécommunications.
En tant que distributeur agréé , HQICKEY garantit des composants 100 % authentiques, une traçabilité complète et la prise en charge de la garantie constructeur. Notre vaste gamme de circuits intégrés mémoire comprend les semi-conducteurs haute fiabilité les plus récents pour les applications critiques.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 1,866 GHz avec un temps d’accès de 3,5 ns pour les applications exigeantes
- Conception basse consommation : la technologie LPDDR4X optimisée réduit la consommation d'énergie des appareils mobiles et alimentés par batterie.
- Large plage de températures : la plage de fonctionnement de -40 °C à 105 °C garantit un fonctionnement fiable dans des environnements difficiles.
- Boîtier compact : le boîtier CMS 200-WFBGA (10 x 14,5 mm) permet un gain de place précieux sur la carte.
- Conformité aux normes industrielles : Conforme à la directive RoHS en matière de sécurité environnementale et de réglementation.
Spécifications techniques
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - LPDDR4X mobile |
| Taille de la mémoire | 2 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 128M x 16 |
| Interface mémoire | LVSTL_11 |
| Fréquence d'horloge | 1,866 GHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 18ns |
| Temps d'accès | 3,5 ns |
| Tension - Alimentation | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 200-WFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 200-WFBGA (10x14,5) |
| RoHS |

W66BQ6NBUAGJ TR.pdf