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W66CP2NQQAHJ TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Mémoire mobile LPDDR4 haute performance Winbond W66CP2NQQAHJ TR
La Winbond W66CP2NQQAHJ TR est une puce mémoire SDRAM LPDDR4 4 Gbit haut de gamme conçue pour les applications mobiles, automobiles, industrielles et de télécommunications exigeantes. Dotée d'une organisation mémoire de 128 Mbits x 32 bits et d'une fréquence d'horloge de 2,133 GHz, cette DRAM volatile offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès ultrarapide de 3,6 ns et un temps de cycle d'écriture de 18 ns.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : fréquence d’horloge de 2,133 GHz avec un temps d’accès de 3,6 ns pour un traitement rapide des données
- Plage de température étendue : le fonctionnement de -40 °C à 105 °C (TC) garantit la fiabilité dans les environnements difficiles.
- Boîtier compact pour montage en surface : 200-TFBGA (10 x 14,5 mm) pour les conceptions à espace restreint
- Fonctionnement à basse tension : double alimentation (1,06 V-1,17 V, 1,7 V-1,95 V) pour une consommation d’énergie réduite.
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales.
- Conditionnement en bande et bobine : prêt pour les processus d’assemblage automatisés
Applications idéales
Idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'électronique automobile, des systèmes de contrôle industriels, des infrastructures de télécommunications, des dispositifs médicaux et de l'électronique grand public nécessitant un support à long terme et une traçabilité complète.
Spécifications techniques complètes
Toutes les spécifications sont conservées à partir de la fiche technique du fabricant d'origine afin de garantir une précision et une traçabilité complètes pour les achats B2B.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - LPDDR4 mobile |
| Taille de la mémoire | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 128M x 32 |
| Interface mémoire | LVSTL_11 |
| Fréquence d'horloge | 2,133 GHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 18ns |
| Temps d'accès | 3,6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 200-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 200-TFBGA (10x14,5) |
| RoHS |  |
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