W66CP2NQUAGJ TR

Winbond W66CP2NQUAGJ TR - Mémoire DRAM mobile LPDDR4 haute performance

La mémoire W66CP2NQUAGJ TR de Winbond Electronics est une mémoire SDRAM LPDDR4 de 4 Gbits de pointe, conçue pour les applications mobiles et embarquées exigeantes. Dotée d'une organisation mémoire de 128 Mbits x 32 octets et fonctionnant à 2,133 GHz, cette mémoire volatile haute vitesse offre des performances exceptionnelles pour les secteurs de l'automobile, de l'industrie, des télécommunications et du médical.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances à haute vitesse : fréquence d’horloge de 2,133 GHz avec un temps d’accès de 3,5 ns pour un traitement rapide des données
• Faible consommation d'énergie : Technologie LPDDR4 optimisée avec double alimentation (1,06 V-1,17 V, 1,7 V-1,95 V)
• Plage de températures étendue : fonctionnement de -40 °C à 105 °C pour les environnements industriels difficiles
• Boîtier compact pour montage en surface : 200-WFBGA (10 x 14,5 mm) pour les conceptions à espace restreint
• Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement
• Approvisionnement fiable : Emballage en bande et bobine pour assemblage automatisé

Applications idéales

Idéal pour les systèmes d'infodivertissement automobile, les contrôleurs industriels, les équipements de télécommunications, les dispositifs médicaux et autres applications nécessitant une mémoire mobile haute performance et basse consommation avec un fonctionnement à température étendue.

Spécifications techniques complètes

Les spécifications peuvent être modifiées sans préavis. Veuillez consulter la fiche technique du fabricant pour obtenir les informations les plus récentes.

• W66CP2NQUAGJ TR.pdf