W66CP2NQUAHJ TR

Winbond W66CP2NQUAHJ TR - Mémoire DRAM mobile LPDDR4 haute performance

La mémoire W66CP2NQUAHJ TR de Winbond Electronics est une SDRAM LPDDR4 4 Gbit hautes performances conçue pour les applications mobiles et embarquées exigeant une faible consommation d'énergie et un transfert de données à haut débit. Avec une fréquence d'horloge de 2,133 GHz et une organisation mémoire de 128 M×32, cette DRAM volatile offre des performances exceptionnelles pour les applications les plus exigeantes.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances à haute vitesse : fréquence d’horloge de 2,133 GHz avec un temps d’accès de 3,5 ns pour un traitement rapide des données
• Conception à faible consommation : technologie LPDDR4 optimisée pour les applications mobiles avec double alimentation (1,06 V-1,17 V, 1,7 V-1,95 V)
• Plage de température étendue : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 105 °C (TC), idéal pour les applications industrielles et automobiles
• Boîtier compact pour montage en surface : 200-WFBGA (10 x 14,5 mm) pour les conceptions à espace restreint
• Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire SDRAM LPDDR4 est idéale pour :

• appareils mobiles et smartphones
• Tablettes et ordinateurs portables
• Systèmes d'infodivertissement automobile
• Systèmes embarqués industriels
• Dispositifs IoT et de calcul en périphérie
• Dispositifs portables haute performance

Qualité et conformité

Fabriquée par Winbond Electronics, leader reconnu dans le domaine des solutions de mémoire à semi-conducteurs, la mémoire W66CP2NQUAHJ TR répond à des normes de qualité rigoureuses et est conforme à la directive RoHS pour une gestion environnementale responsable. Elle est disponible en conditionnement pratique sur bande et bobine pour les processus d'assemblage automatisés.

• W66CP2NQUAHJ TR.pdf