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W66CP6RBQAFJ TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €5,95 EUR | €5,95 EUR |
| 15+ | €5,47 EUR | €82,05 EUR |
| 25+ | €5,36 EUR | €134,00 EUR |
| 50+ | €5,06 EUR | €253,00 EUR |
| 100+ | €4,46 EUR | €446,00 EUR |
| N+ | €0,89 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W66CP6RBQAFJ - Mémoire DRAM mobile LPDDR4X 4 Gbit
Mémoire SDRAM LPDDR4X mobile haute performance conçue pour les applications exigeantes des secteurs automobile, industriel, des télécommunications et mobile nécessitant une mémoire fiable avec une plage de températures étendue et une longue durée de vie.
Caractéristiques principales
- Capacité de mémoire de 4 Gbit - Organisation 256 Mo x 16 pour une conception système flexible
- Fréquence d'horloge de 1,6 GHz - Performances haute vitesse avec un temps d'accès de 3,5 ns
- Plage de températures industrielles - Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 105 °C (TC)
- Fonctionnement à faible consommation - Double alimentation : 1,06 V-1,17 V et 1,7 V-1,95 V
- Interface LVSTL_06 - Interface mémoire standard
- Boîtier CMS - 200-TFBGA (10 x 14,5 mm) pour des conceptions compactes
- Conforme à la norme RoHS – Respectueux de l’environnement, conforme aux normes internationales
Applications
Cette mémoire LPDDR4X est idéale pour les applications aérospatiales, les calculateurs automobiles, les contrôleurs industriels, les équipements de télécommunications, les dispositifs médicaux et l'électronique grand public nécessitant une fiabilité et une traçabilité élevées.
Spécifications techniques complètes
Documentation du fabricant : Fiches techniques complètes et notes d’application disponibles auprès de Winbond Electronics pour la prise en charge de l’intégration et la vérification de l’engagement sur le cycle de vie.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - LPDDR4X mobile |
| Taille de la mémoire | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 |
| Interface mémoire | LVSTL_06 |
| Fréquence d'horloge | 1,6 GHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 18ns |
| Temps d'accès | 3,5 ns |
| Tension - Alimentation | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 200-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 200-TFBGA (10x14,5) |
| RoHS |  |
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