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Mémoire DRAM mobile Winbond W66CQ2NQQAFJ 4 Gbit LPDDR4X - 1,6 GHz 200-TFBGA
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Mémoire DRAM LPDDR4X mobile haute performance Winbond W66CQ2NQQAFJ
La puce mémoire DRAM mobile Winbond W66CQ2NQQAFJ LPDDR4X de 4 Gbits est une solution de pointe conçue pour les applications mobiles et embarquées hautes performances. Dotée d'une architecture 128 Mbits x 32 et fonctionnant à une fréquence d'horloge de 1,6 GHz, cette solution mémoire offre une vitesse et une fiabilité exceptionnelles pour les environnements informatiques mobiles exigeants.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 1,6 GHz et un temps d’accès de 3,6 ns garantissent un traitement rapide des données.
- Faible consommation d'énergie : Technologie LPDDR4X optimisée pour les applications mobiles avec double alimentation (1,06 V-1,17 V, 1,7 V-1,95 V)
- Large plage de températures : Fonctionnement de qualité industrielle de -40 °C à 105 °C (TC) pour des performances fiables dans des environnements difficiles.
- Boîtier compact pour montage en surface : 200-TFBGA (10 x 14,5 mm) pour les conceptions à espace restreint
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales
Applications idéales
Idéal pour les smartphones, les tablettes, les systèmes d'infodivertissement automobiles, les appareils IoT, les contrôleurs industriels et les plateformes informatiques embarquées nécessitant des solutions de mémoire haute vitesse et basse consommation.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | Plateau |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - LPDDR4X mobile |
| Taille de la mémoire | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 128M x 32 |
| Interface mémoire | LVSTL_11 |
| Fréquence d'horloge | 1,6 GHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 18ns |
| Temps d'accès | 3,6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 200-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 200-TFBGA (10x14,5) |
| RoHS |  |
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