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W66CQ2NQQAGJ TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W66CQ2NQQAGJ TR - Mémoire DRAM mobile LPDDR4X haute performance
La mémoire Winbond W66CQ2NQQAGJ est une mémoire SDRAM LPDDR4X 4 Gbit hautes performances conçue pour les applications mobiles et embarquées exigeant une faible consommation d'énergie et un transfert de données rapide. Ce circuit intégré de mémoire volatile présente une organisation de 128 Mbits x 32 bits avec une interface LVSTL_11, fonctionnant à une fréquence d'horloge de 1,867 GHz avec un temps d'accès de 3,6 ns.
Caractéristiques principales :
- Capacité de mémoire de 4 Gbit avec une organisation de 128 Mbits x 32 bits
- Technologie LPDDR4X pour applications mobiles à très faible consommation
- Fréquence d'horloge de 1,867 GHz avec un temps d'accès de 3,6 ns
- Alimentation à double tension : 1,06 V ~ 1,17 V et 1,7 V ~ 1,95 V
- Plage de température étendue : -40 °C à 105 °C (TC)
- Boîtier CMS 200-TFBGA (10x14,5)
- Conforme aux normes RoHS et REACH
- Conditionnement en bande et bobine pour assemblage automatisé
Applications : Idéal pour les smartphones, les tablettes, les systèmes d'infodivertissement automobiles, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux et autres plateformes informatiques mobiles nécessitant une mémoire fiable et rapide avec un support à long terme.
En tant que distributeur agréé, nous assurons une traçabilité complète, la documentation du fabricant d'origine et une disponibilité à long terme garantie pour une intégration en toute confiance dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications.
Spécifications techniques complètes
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - LPDDR4X mobile |
| Taille de la mémoire | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 128M x 32 |
| Interface mémoire | LVSTL_11 |
| Fréquence d'horloge | 1,867 GHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 18ns |
| Temps d'accès | 3,6 ns |
| Tension - Alimentation | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 200-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 200-TFBGA (10x14,5) |
| RoHS |  |
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