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W66CQ2NQUAHJ TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W66CQ2NQUAHJ TR - Mémoire DRAM mobile LPDDR4X haute performance
La mémoire Winbond W66CQ2NQUAHJ TR est une mémoire SDRAM LPDDR4X de 4 Gbits haute fiabilité, conçue pour les applications mobiles et embarquées exigeant une faible consommation d'énergie et des performances élevées. Avec une fréquence d'horloge de 2,133 GHz et une large plage de températures de fonctionnement (-40 °C à 105 °C), cette solution mémoire offre des performances exceptionnelles pour les applications exigeantes des secteurs automobile, industriel, des télécommunications et médical.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : fréquence d’horloge de 2,133 GHz avec un temps d’accès de 3,5 ns pour un traitement rapide des données
- Conception basse consommation : technologie LPDDR4X optimisée pour les applications mobiles et alimentées par batterie
- Plage de températures étendue : fonctionnement de -40 °C à 105 °C pour les environnements difficiles
- Organisation flexible : architecture mémoire 128 Mo x 32 pour une intégration système polyvalente
- Boîtier standard de l'industrie : boîtier de montage en surface 200-WFBGA (10 x 14,5 mm)
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement
Spécifications techniques complètes
Applications
Idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'électronique automobile, des systèmes de contrôle industriels, des infrastructures de télécommunications et des dispositifs médicaux nécessitant un support à long terme et une fiabilité éprouvée.
Distributeur agréé : Nous assurons une traçabilité complète, des composants Winbond authentiques et une assistance technique exhaustive pour répondre à vos exigences d’intégration.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - LPDDR4X mobile |
| Taille de la mémoire | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 128M x 32 |
| Interface mémoire | LVSTL_11 |
| Fréquence d'horloge | 2,133 GHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 18ns |
| Temps d'accès | 3,5 ns |
| Tension - Alimentation | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 200-WFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 200-WFBGA (10x14,5) |
| RoHS |  |
W66CQ2NQUAHJ TR.pdf