-
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
W949D2DBJX5E
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
Impossible de charger la disponibilité du service de retrait
W949D2DBJX5E - Mémoire SDRAM LPDDR mobile haute performance
La W949D2DBJX5E de Winbond Electronics est une mémoire SDRAM LPDDR mobile de 512 Mbits haute fiabilité, conçue pour les systèmes embarqués critiques. Dotée d'une fréquence d'horloge de 200 MHz, d'une organisation mémoire de 16 M×32 et d'un temps d'accès ultrarapide de 5 ns, cette DRAM volatile offre des performances exceptionnelles pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles, médicales et de télécommunications. Logée dans un boîtier CMS compact 90-VFBGA (8x13), elle fonctionne de manière fiable sur une large plage de températures allant de -25 °C à 85 °C, ce qui la rend idéale pour les environnements exigeants.
Avec une faible tension de fonctionnement de 1,7 V à 1,95 V et sa conformité RoHS, la mémoire W949D2DBJX5E allie efficacité énergétique et respect de l'environnement. Que vous conceviez des appareils mobiles de nouvelle génération, des contrôleurs industriels ou des systèmes embarqués hautes performances, cette solution mémoire vous offre la vitesse, la fiabilité et la qualité dont vous avez besoin.
Produits et ressources connexes
Découvrez notre gamme complète de solutions de mémoire haute fiabilité pour vos systèmes embarqués. Visitez la page d'accueil HQICKEY pour consulter notre catalogue complet de composants critiques, ou découvrez nos dernières actualités et analyses techniques pour rester informé des dernières tendances et applications.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Plateau | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - LPDDR mobile |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 16M x 32 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 5 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 90-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 90-VFBGA (8x13) |
| RoHS |  |
W949D2DBJX5E.pdf