W949D2DBJX5E TR

Winbond W949D2DBJX5E TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM LPDDR mobile de 512 Mbit

La mémoire Winbond W949D2DBJX5E TR est une mémoire SDRAM LPDDR (DDR Mobile Low Power DDR) de 512 Mbits hautes performances, conçue pour les applications mobiles et embarquées à faible consommation. Cette mémoire volatile offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 200 MHz et un temps d'accès de 5 ns, ce qui la rend idéale pour les smartphones, les tablettes, les systèmes automobiles et les appareils industriels nécessitant une mémoire fiable et basse consommation.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 200 MHz et un temps d’accès de 5 ns garantissent un traitement rapide des données.
• Configuration mémoire optimale : capacité de 512 Mbits avec une organisation de 16 M x 32 pour une gestion efficace des données
• Faible consommation d'énergie : la technologie LPDDR mobile avec une tension d'alimentation de 1,7 V à 1,95 V réduit la consommation d'énergie.
• Large plage de températures de fonctionnement : -25 °C à 85 °C (TC), adaptée aux environnements industriels et automobiles exigeants.
• Boîtier compact pour montage en surface : le boîtier 90-VFBGA (8x13) optimise l’utilisation de l’espace sur la carte.
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales.
• Interface parallèle : intégration simplifiée avec les architectures système existantes

Applications

Cette mémoire SDRAM LPDDR est conçue pour les applications critiques, notamment les appareils mobiles, les systèmes d'infodivertissement automobiles, les systèmes de contrôle industriels, les équipements médicaux, les infrastructures de télécommunications et les plateformes informatiques embarquées où la fiabilité et l'efficacité énergétique sont primordiales.

Spécifications techniques

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