Winbond W949D6DBHX5E 512 Mbit SDRAM mobile LPDDR - Circuit intégré de mémoire DRAM 32M x 16

Winbond W949D6DBHX5E - Circuit intégré de mémoire SDRAM LPDDR mobile haute performance

La Winbond W949D6DBHX5E est une mémoire SDRAM LPDDR mobile haut de gamme de 512 Mbits, conçue pour les applications embarquées critiques exigeant des performances mémoire élevées et une faible consommation. Ce circuit intégré de mémoire DRAM de qualité industrielle offre une fiabilité exceptionnelle grâce à une fréquence d'horloge de 200 MHz et un temps d'accès ultra-rapide de 5 ns, ce qui le rend idéal pour les applications automobiles, de contrôle industriel, de télécommunications et pour appareils portables.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 200 MHz et un temps d'accès de 5 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications exigeantes.
• Architecture mémoire optimisée : l'organisation 32M x 16 (512 Mbit) offre une configuration mémoire flexible pour les systèmes embarqués.
• Faible consommation d'énergie : la technologie LPDDR mobile avec une tension d'alimentation de 1,7 V à 1,95 V réduit les besoins en énergie.
• Large plage de températures de fonctionnement : -25 °C à 85 °C (TC), adaptée aux environnements industriels et automobiles.
• Boîtier compact pour montage en surface : le boîtier 60-VFBGA (8x9) optimise l’espace sur la carte dans les conceptions à espace limité.
• Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Spécifications techniques

Applications

La mémoire SDRAM LPDDR mobile W949D6DBHX5E est conçue pour les applications à haute fiabilité, notamment les systèmes d'infodivertissement automobile, les contrôleurs d'automatisation industrielle, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications, l'instrumentation portable et les plateformes informatiques embarquées où des performances constantes et une disponibilité à long terme sont essentielles.

Qualité et fiabilité

Fabriqué par Winbond Electronics, leader reconnu dans le domaine des solutions de mémoire à semi-conducteurs, ce circuit intégré DRAM est soumis à des tests de qualité rigoureux afin de garantir une fiabilité exceptionnelle, même dans les environnements les plus exigeants. Sa conception conforme à la directive RoHS répond aux normes environnementales internationales tout en offrant les performances et la durée de vie requises pour les applications critiques.

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