W956A8MBYA5I TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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Mémoire DRAM HyperRAM haute performance Winbond W956A8MBYA5I TR - 64 Mbit
La puce Winbond W956A8MBYA5I TR est une mémoire DRAM HyperRAM 64 Mbit de pointe, conçue pour les systèmes embarqués haute vitesse, l'électronique automobile et les applications IoT. Dotée de la technologie d'interface HyperBus avancée, cette DRAM volatile offre des performances exceptionnelles avec une fréquence d'horloge de 200 MHz et un temps d'accès ultra-rapide de 35 ns.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 200 MHz et un temps d'accès de 35 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications exigeantes.
- Interface HyperBus : cette interface mémoire série avancée réduit le nombre de broches tout en conservant une bande passante élevée.
- Organisation optimale de la mémoire : la configuration 8M x 8 (capacité totale de 64 Mbit) offre un stockage de données flexible
- Large plage de fonctionnement : sa plage de températures de -40 °C à 85 °C la rend adaptée aux environnements industriels et automobiles.
- Boîtier compact pour montage en surface : son format 24-TFBGA (6x8) permet un gain de place précieux sur le circuit imprimé.
- Tension standard industrielle : tension d’alimentation de 2,7 V à 3,6 V pour une large compatibilité
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Applications idéales
Ce circuit intégré de mémoire HyperRAM est parfaitement adapté pour :
- Systèmes d'infodivertissement et d'aide à la conduite (ADAS) pour l'automobile
- équipements de contrôle et d'automatisation industriels
- Dispositifs informatiques de périphérie IoT
- Systèmes embarqués nécessitant une mémoire volatile rapide et fiable
- Électronique grand public avec contraintes d'espace
Spécifications techniques
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Produits associés : Découvrez notre gamme complète de solutions de semi-conducteurs de mémoire, notamment les dispositifs EEPROM, Flash, DRAM et SRAM, pour tous vos besoins en systèmes embarqués.
Ressources techniques : Consultez notre blog technique pour accéder à des notes d’application, des guides de conception et des analyses sectorielles qui vous aideront à tirer le meilleur parti de vos composants semi-conducteurs.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | HyperRAM |
| Taille de la mémoire | 64 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 8M x 8 |
| Interface mémoire | HyperBus |
| Fréquence d'horloge | 200 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 35 ns |
| Temps d'accès | 35 ns |
| Tension - Alimentation | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 24-TBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 24-TFBGA (6x8) |
| RoHS |

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