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Winbond Electronics

W9725G8KB25I

Prix habituel €1,95
Prix habituel Prix promotionnel €1,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €1,95 EUR €1,95 EUR
15+ €1,79 EUR €26,85 EUR
25+ €1,76 EUR €44,00 EUR
50+ €1,66 EUR €83,00 EUR
100+ €1,46 EUR €146,00 EUR
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Quantité
Recycling Electronic Components

Winbond W9725G8KB25I - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 256 Mbit

Le W9725G8KB25I de Winbond Electronics est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 haute performance de 256 Mbits, conçu pour les systèmes embarqués et les applications industrielles exigeant des solutions de mémoire volatile fiables. Ce circuit intégré de mémoire à montage en surface (CMS) dispose d'une architecture 32M x 8 et fonctionne à une fréquence d'horloge de 200 MHz, offrant des temps d'accès rapides de 57,5 ​​ns pour les applications temps réel les plus exigeantes.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 200 MHz et un temps d’accès de 57,5 ns garantissent un traitement rapide des données.
  • Boîtier compact : le boîtier CMS 60-WBGA (8 x 12,5 mm) optimise l’espace sur la carte.
  • Plage de températures étendue : fonctionnement de -40 °C à 95 °C (TC) pour les environnements industriels et automobiles
  • Fonctionnement à basse tension : une tension d’alimentation de 1,7 V à 1,9 V réduit la consommation d’énergie.
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications

Idéal pour les contrôleurs embarqués, les systèmes d'automatisation industrielle, les équipements de réseau, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux et toute application nécessitant une mémoire DDR2 SDRAM rapide et fiable avec un fonctionnement à température étendue.

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Ressources connexes

Découvrez notre gamme complète de composants semi-conducteurs :

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Winbond Electronics
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - DDR2
Taille de la mémoire 256 Mbits
Organisation de la mémoire 32M x 8
Interface mémoire -
Fréquence d'horloge 200 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 57,5 ns
Tension - Alimentation 1,7 V ~ 1,9 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 95°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 60-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 60-WBGA (8x12,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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