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Winbond Electronics

W9751G6NB-25 TR

Prix habituel €1,95
Prix habituel Prix promotionnel €1,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €1,95 EUR €1,95 EUR
15+ €1,79 EUR €26,85 EUR
25+ €1,76 EUR €44,00 EUR
50+ €1,66 EUR €83,00 EUR
100+ €1,46 EUR €146,00 EUR
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Quantité
Recycling Electronic Components

Winbond W9751G6NB-25 TR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 haute performance

Le W9751G6NB-25 TR de Winbond Electronics est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 de 512 Mbits de qualité supérieure, conçu pour les applications embarquées, industrielles, automobiles et IoT nécessitant des performances de mémoire volatile fiables et à haute vitesse.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 400 MHz et un temps d'accès de 57,5 ​​ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications exigeantes.
  • Architecture mémoire optimisée : l'organisation 32M x 16 (capacité totale de 512 Mbit) offre des options d'intégration flexibles.
  • Fiabilité de niveau industriel : large plage de températures de fonctionnement (0 °C à 85 °C) et tolérance robuste à la tension d’alimentation de 1,7 V à 1,9 V
  • Conception compacte : le boîtier CMS 84-VFBGA (8 x 12,5 mm) réduit l'encombrement sur le circuit imprimé.
  • Technologie DDR2 SDRAM : technologie de mémoire volatile éprouvée avec interface parallèle pour une intégration système transparente.
  • Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications idéales

Ce circuit intégré de mémoire est parfaitement adapté aux systèmes embarqués, aux contrôleurs industriels, à l'électronique automobile, aux équipements de réseau, aux dispositifs médicaux et aux plateformes informatiques de périphérie IoT où des performances fiables de la mémoire DDR2 SDRAM sont essentielles.

Spécifications techniques

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Winbond Electronics
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - DDR2
Taille de la mémoire 512 Mbits
Organisation de la mémoire 32M x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge 400 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 57,5 ns
Tension - Alimentation 1,7 V ~ 1,9 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 85°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 84-VFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 84-VFBGA (8x12,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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