W978H2KBVX2E

Winbond W978H2KBVX2E - Circuit intégré de mémoire SDRAM LPDDR2 mobile haute performance

La W978H2KBVX2E de Winbond Electronics est une mémoire SDRAM LPDDR2 mobile de 256 Mbits haute fiabilité, conçue pour les applications mobiles et embarquées exigeantes. Ce circuit intégré de mémoire DRAM volatile présente une architecture 8M x 32 avec interface parallèle et fonctionne à une fréquence d'horloge de 400 MHz, offrant ainsi des performances exceptionnelles pour les applications à faible consommation.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 400 MHz et un temps de cycle d'écriture de 15 ns garantissent un accès rapide aux données.
• Faible consommation d'énergie : Technologie LPDDR2 mobile optimisée pour les applications alimentées par batterie
• Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -25 °C à 85 °C (TC)
• Alimentation flexible : plage de tension de 1,14 V à 1,95 V pour une intégration système polyvalente
• Format compact : le boîtier CMS 134-VFBGA (10 x 11,5 mm) permet un gain de place sur la carte.
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications idéales

Idéal pour les appareils mobiles, les systèmes IoT, l'électronique automobile, les contrôleurs industriels et les plateformes informatiques embarquées nécessitant une mémoire volatile fiable et rapide à faible consommation d'énergie.

Spécifications techniques complètes

Toutes les spécifications sont sujettes à la fiche technique du fabricant. Pour une documentation technique détaillée, veuillez consulter la fiche technique officielle de Winbond.

• W978H2KBVX2E.pdf