W979H2KBVX1E

Winbond W979H2KBVX1E - Mémoire SDRAM LPDDR2 mobile haute performance

La Winbond W979H2KBVX1E est une mémoire SDRAM LPDDR2-S4B mobile haute performance de 512 Mbits, conçue pour les applications mobiles et embarquées exigeantes. Dotée d'une fréquence d'horloge de 533 MHz et d'une organisation mémoire de 16 Mbits x 32, cette mémoire DRAM de qualité industrielle offre des performances fiables sur une large plage de températures de fonctionnement, de -25 °C à 85 °C.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances haute vitesse : une fréquence d'horloge de 533 MHz et un temps de cycle d'écriture de 15 ns garantissent un accès rapide aux données pour les applications critiques en temps réel.
• Optimisé pour les appareils mobiles : la technologie LPDDR2-S4B offre une faible consommation d’énergie, idéale pour les appareils alimentés par batterie.
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -25 °C à 85 °C, convient aux applications automobiles, industrielles et de télécommunications
• Format compact : le boîtier CMS 134-VFBGA (10 x 11,5 mm) permet un gain de place précieux sur la carte.
• Fonctionnement à double tension : tensions d’alimentation de 1,14 V à 1,3 V et de 1,7 V à 1,95 V pour une intégration système flexible.
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales

Applications

Ce composant de mémoire est idéal pour les appareils mobiles, les systèmes d'infodivertissement automobiles, les contrôleurs industriels, les équipements de télécommunications et les plateformes informatiques embarquées nécessitant une mémoire volatile fiable et rapide à faible consommation d'énergie.

Spécifications techniques complètes

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