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Winbond Electronics

Winbond W979H2KBVX1I - Circuit intégré de mémoire SDRAM LPDDR2-S4B mobile de 512 Mbit

Prix habituel €3,95
Prix habituel Prix promotionnel €3,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €3,95 EUR €3,95 EUR
15+ €3,63 EUR €54,45 EUR
25+ €3,56 EUR €89,00 EUR
50+ €3,36 EUR €168,00 EUR
100+ €2,96 EUR €296,00 EUR
N+ €0,59 EUR Price Inquiry
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Quantité
Recycling Electronic Components

Circuit intégré de mémoire LPDDR2 SDRAM mobile Winbond W979H2KBVX1I

Le Winbond W979H2KBVX1I est un circuit intégré de mémoire SDRAM LPDDR2-S4B mobile haute performance de 512 Mbit conçu pour les applications mobiles et embarquées nécessitant une faible consommation d'énergie et un fonctionnement fiable sur des plages de températures industrielles.

Caractéristiques principales

  • Capacité mémoire : 512 Mbit (organisation 16M x 32)
  • Technologie : SDRAM LPDDR2-S4B mobile avec interface HSUL_12
  • Performances haute vitesse : fréquence d'horloge de 533 MHz avec un temps de cycle d'écriture de 15 ns
  • Fonctionnement à faible consommation : double alimentation (1,14 V-1,3 V, 1,7 V-1,95 V) optimisée pour les appareils mobiles
  • Qualité industrielle : Plage de températures de fonctionnement : -40 °C à 85 °C (TC)
  • Boîtier compact : boîtier CMS 134-VFBGA (10 × 11,5 mm)
  • Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales

Applications

Ce circuit intégré de mémoire est idéal pour les appareils informatiques mobiles, les smartphones, les tablettes, les systèmes d'infodivertissement automobiles, les systèmes de contrôle industriels et les applications embarquées nécessitant des solutions de mémoire fiables et à faible consommation d'énergie avec un fonctionnement à température étendue.

Spécifications techniques complètes

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Winbond Electronics
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR2-S4B
Taille de la mémoire 512 Mbits
Organisation de la mémoire 16M x 32
Interface mémoire HSUL_12
Fréquence d'horloge 533 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès -
Tension - Alimentation 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 134-VFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 134-VFBGA (10x11,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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