W979H2KBVX1I TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
Impossible de charger la disponibilité du service de retrait
Mémoire SDRAM LPDDR2 mobile haute performance pour applications exigeantes
La mémoire Winbond W979H2KBVX1I TR offre des performances et une fiabilité exceptionnelles pour les appareils mobiles, les systèmes embarqués et les applications industrielles. Cette mémoire SDRAM LPDDR2-S4B de 512 Mbits fonctionne à 533 MHz avec une organisation mémoire de 16 Mbits x 32 bits, fournissant la vitesse et l'efficacité requises pour les systèmes électroniques avancés actuels.
Principales caractéristiques et avantages
- Technologie optimisée pour les appareils mobiles : l’architecture LPDDR2-S4B garantit une faible consommation d’énergie tout en maintenant des performances élevées.
- Large plage de fonctionnement : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements industriels et automobiles.
- Conception compacte pour montage en surface : le boîtier 134-VFBGA (10 × 11,5 mm) permet un gain de place précieux sur la carte.
- Temps d'accès rapides : un cycle d'écriture de 15 ns et une fréquence d'horloge de 533 MHz permettent un traitement rapide des données.
- Double alimentation : fonctionne entre 1,14 V et 1,3 V et entre 1,7 V et 1,95 V pour une intégration système flexible.
- Conforme à la directive RoHS : répond aux normes environnementales pour un déploiement mondial
Applications idéales
Cette mémoire SDRAM haute fiabilité est conçue pour les smartphones, les tablettes, les systèmes d'infodivertissement automobiles, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux et les plateformes informatiques embarquées où les performances, l'efficacité énergétique et la tolérance à la température sont essentielles.
Spécifications techniques
Ressources connexes :
Découvrez notre gamme complète de solutions de mémoire | Consultez le catalogue complet de semi-conducteurs HQICKEY | Lisez les dernières actualités et analyses techniques du secteur
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4B |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 16M x 32 |
| Interface mémoire | HSUL_12 |
| Fréquence d'horloge | 533 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 134-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 134-VFBGA (10x11,5) |
| RoHS |

W979H2KBVX1I TR.pdf