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Winbond Electronics

W97AH2NBVA1E

Prix habituel €3,95
Prix habituel Prix promotionnel €3,95
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 €3,95 EUR €3,95 EUR
15+ €3,63 EUR €54,45 EUR
25+ €3,56 EUR €89,00 EUR
50+ €3,36 EUR €168,00 EUR
100+ €2,96 EUR €296,00 EUR
N+ €0,59 EUR Price Inquiry
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Quantité
Recycling Electronic Components

Winbond W97AH2NBVA1E - Mémoire SDRAM LPDDR2-S4B haute performance pour appareils mobiles

La W97AH2NBVA1E de Winbond Electronics est une mémoire SDRAM LPDDR2-S4B 1 Gbit haut de gamme, conçue pour les applications mobiles et embarquées hautes performances. Cette solution mémoire avancée offre une vitesse et une fiabilité exceptionnelles grâce à sa fréquence d'horloge de 533 MHz, ce qui la rend idéale pour les smartphones, les tablettes, les systèmes automobiles et les appareils industriels exigeant une mémoire rapide et efficace.

Principales caractéristiques et avantages

  • Performances à haute vitesse : la fréquence d’horloge de 533 MHz garantit un accès et un traitement rapides des données.
  • Efficacité énergétique optimisée : fonctionnement à double tension (1,14 V-1,3 V, 1,7 V-1,95 V) pour une consommation d’énergie réduite.
  • Large plage de températures : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C, idéal pour les environnements exigeants.
  • Conception compacte : le boîtier CMS 134-VFBGA (10 x 11,5 mm) permet un gain de place précieux sur la carte.
  • Norme industrielle : la technologie LPDDR2-S4B assure la compatibilité avec les plateformes mobiles modernes.

Spécifications techniques

Applications

Le W97AH2NBVA1E est conçu pour les applications mobiles et embarquées exigeantes, notamment :

  • Smartphones et appareils mobiles
  • Tablettes et ordinateurs portables
  • Systèmes d'infodivertissement et d'aide à la conduite (ADAS) pour l'automobile
  • Systèmes de contrôle industriels
  • Dispositifs IoT et de calcul en périphérie
  • Équipements et instruments médicaux

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Winbond Electronics
Gamme de produits
Conditionnement Plateau |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR2-S4B
Taille de la mémoire 1 Gbit
Organisation de la mémoire 32M x 32
Interface mémoire HSUL_12
Fréquence d'horloge 533 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès -
Tension - Alimentation 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TC)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 134-VFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur 134-VFBGA (10x11,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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