W97AH2NBVA1I TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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La W97AH2NBVA1I TR est une solution de mémoire SDRAM LPDDR2-S4B mobile haut de gamme de 1 Gbit de Winbond Electronics, conçue pour les applications critiques des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce semi-conducteur haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 533 MHz et une organisation mémoire efficace de 32 Mbits x 32 octets.
Principales caractéristiques et avantages :
- Performances à haute vitesse : une fréquence d'horloge de 533 MHz et un temps de cycle d'écriture de 15 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications exigeantes.
- Plage de fonctionnement robuste : fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C (TC), ce qui le rend idéal pour les environnements industriels difficiles.
- Alimentation flexible : la prise en charge de deux tensions (1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V) optimise l'efficacité énergétique.
- Conception compacte : le boîtier CMS 134-VFBGA (10 x 11,5 mm) permet un gain de place précieux sur la carte.
- Interface standard de l'industrie : l'interface mémoire HSUL_12 garantit une intégration transparente
- Conforme à la directive RoHS : une fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales
Spécifications techniques :
Applications :
Cette solution de mémoire polyvalente est parfaitement adaptée aux appareils mobiles, aux systèmes embarqués, à l'électronique automobile, aux systèmes de contrôle industriels, aux équipements médicaux et aux infrastructures de télécommunications où la fiabilité et la performance sont primordiales.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4B |
| Taille de la mémoire | 1 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 32M x 32 |
| Interface mémoire | HSUL_12 |
| Fréquence d'horloge | 533 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 134-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 134-VFBGA (10x11,5) |
| RoHS |

W97AH2NBVA1I TR.pdf