W97BH2MBVA1E TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Mémoire LPDDR2 mobile haute performance Winbond W97BH2MBVA1E TR
La mémoire W97BH2MBVA1E TR de Winbond Electronics est une mémoire SDRAM LPDDR2-S4B 2 Gbit haute fiabilité, conçue pour les applications mobiles et embarquées exigeantes. Ce composant mémoire de qualité industrielle offre des performances exceptionnelles grâce à sa fréquence d'horloge de 533 MHz et un fonctionnement fiable sur une large plage de températures.
Principales caractéristiques et avantages
- Stockage haute densité : capacité de 2 Gbit avec une organisation mémoire de 64 Mo x 32
- Performances rapides : fréquence d’horloge de 533 MHz avec un temps de cycle d’écriture de 15 ns
- Optimisé pour les appareils mobiles : technologie LPDDR2-S4B pour un fonctionnement écoénergétique
- Large plage de températures de fonctionnement : -25 °C à 85 °C (TC) pour les applications industrielles
- Boîtier compact : conception à montage en surface 134-VFBGA (10 x 11,5 mm)
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement
Applications idéales
Idéal pour les smartphones, les tablettes, les systèmes d'infodivertissement automobiles, les contrôleurs industriels, les appareils IoT et autres plateformes informatiques mobiles nécessitant une mémoire fiable et rapide avec une durée de vie prolongée.
Spécifications techniques complètes
Pourquoi choisir la mémoire Winbond ?
Winbond Electronics est un leader mondial reconnu dans le domaine des solutions de mémoire à semi-conducteurs, offrant une disponibilité produit à long terme, un support technique complet et des normes de qualité rigoureuses. Ce composant bénéficie d'une traçabilité complète et répond aux exigences de conformité internationales.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4B |
| Taille de la mémoire | 2 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 64M x 32 |
| Interface mémoire | HSUL_12 |
| Fréquence d'horloge | 533 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 134-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 134-VFBGA (10x11,5) |
| RoHS |

W97BH2MBVA1E TR.pdf