W97BH2MBVA2E TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W97BH2MBVA2E TR - Mémoire DRAM LPDDR2-S4B haute performance pour appareils mobiles
La mémoire Winbond W97BH2MBVA2E TR est une mémoire SDRAM LPDDR2-S4B de 2 Gbits haute fiabilité, conçue pour les applications exigeantes des appareils mobiles, des systèmes automobiles et des équipements industriels. Cette solution de mémoire volatile offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 400 MHz et une faible consommation d'énergie.
Principales caractéristiques et avantages
- Mémoire haute densité : capacité de 2 Gbit avec une organisation de 64 M x 32 pour une gestion optimale des données
- Performances rapides : fréquence d’horloge de 400 MHz avec un temps de cycle d’écriture de 15 ns
- Conception basse consommation : fonctionnement à double tension (1,14 V-1,3 V, 1,7 V-1,95 V) pour une efficacité énergétique optimale.
- Qualité industrielle : Large plage de températures de fonctionnement (-25 °C à 85 °C) pour les environnements difficiles
- Boîtier compact : conception à montage en surface 134-VFBGA (10 x 11,5 mm)
- Prêt pour la production : Conditionnement en bande et bobine pour assemblage automatisé
- Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement
Applications idéales
Idéal pour les smartphones, les tablettes, les systèmes d'infodivertissement automobiles, les contrôleurs industriels, les appareils IoT et les systèmes embarqués nécessitant une mémoire volatile fiable et rapide à faible consommation d'énergie.
Spécifications techniques complètes
Pourquoi choisir la mémoire Winbond ?
Winbond Electronics est un leader mondial de confiance dans le domaine des solutions de mémoire à semi-conducteurs, offrant une fiabilité éprouvée, un support technique complet et une disponibilité des produits à long terme pour les applications critiques.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4B |
| Taille de la mémoire | 2 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 64M x 32 |
| Interface mémoire | HSUL_12 |
| Fréquence d'horloge | 400 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 134-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 134-VFBGA (10x11,5) |
| RoHS |

W97BH2MBVA2E TR.pdf