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W97BH6MBVA1E TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Mémoire DRAM mobile haute performance Winbond W97BH6MBVA1E TR
La W97BH6MBVA1E TR de Winbond Electronics est une mémoire DRAM mobile LPDDR2-S4B de 2 Gbits haute fiabilité, conçue pour les applications mobiles et embarquées exigeantes. Ce composant mémoire de qualité industrielle offre des performances exceptionnelles grâce à sa fréquence d'horloge de 533 MHz et un fonctionnement fiable sur une large plage de températures.
Principales caractéristiques et avantages
- Mémoire haute densité : capacité de 2 Gbit avec une organisation de 128 M x 16 pour un stockage de données efficace
- Optimisé pour les appareils mobiles : technologie LPDDR2-S4B conçue pour les applications mobiles basse consommation.
- Performances rapides : fréquence d’horloge de 533 MHz avec un temps de cycle d’écriture de 15 ns
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -25 °C à 85 °C (TC)
- Boîtier compact : boîtier CMS 134-VFBGA (10 x 11,5 mm) pour les conceptions à espace restreint
- Conforme à la norme RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales
Applications
Idéal pour les smartphones, les tablettes, les systèmes d'infodivertissement automobiles, les contrôleurs industriels, les appareils IoT et autres plateformes informatiques mobiles nécessitant des solutions de mémoire hautes performances et basse consommation.
Spécifications techniques complètes
Pourquoi choisir la mémoire Winbond ?
Winbond Electronics est un leader mondial reconnu dans le domaine des solutions de mémoire à semi-conducteurs. L'entreprise garantit la disponibilité de ses produits sur le long terme, un support technique complet et une fiabilité éprouvée pour les applications critiques. Tous ses produits bénéficient d'un contrôle qualité rigoureux et d'une traçabilité complète.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4B |
| Taille de la mémoire | 2 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 128M x 16 |
| Interface mémoire | HSUL_12 |
| Fréquence d'horloge | 533 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | - |
| Tension - Alimentation | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 134-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 134-VFBGA (10x11,5) |
| RoHS |  |
W97BH6MBVA1E TR.pdf