W97BH6MBVA2E TR

Winbond W97BH6MBVA2E TR - Solution DRAM mobile haute performance

La Winbond W97BH6MBVA2E TR est une mémoire SDRAM LPDDR2-S4B 2 Gbit haut de gamme, conçue pour les applications mobiles et embarquées exigeantes. Fabriquée par Winbond Electronics, cette mémoire offre des performances exceptionnelles grâce à sa fréquence d'horloge de 400 MHz et son interface HSUL_12.

Principales caractéristiques et avantages

• Mémoire haute densité : capacité de 2 Gbit avec une organisation de 128 M x 16 pour une gestion efficace des données
• Optimisé pour les appareils mobiles : la technologie LPDDR2-S4B assure une faible consommation d’énergie pour une autonomie prolongée de la batterie.
• Performances rapides : fréquence d’horloge de 400 MHz avec un temps de cycle d’écriture de 15 ns
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -25 °C à 85 °C (TC)
• Double tension d'alimentation : 1,14 V ~ 1,3 V et 1,7 V ~ 1,95 V
• Gain de place : Boîtier compact 134-VFBGA (10 x 11,5 mm) pour montage en surface
• Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement

Applications idéales

Idéal pour les smartphones, les tablettes, les systèmes d'infodivertissement automobiles, les contrôleurs industriels, les appareils IoT et autres plateformes informatiques mobiles nécessitant des solutions de mémoire fiables et performantes.

Spécifications techniques complètes

Conditionnement : Disponible en bande et bobine (TR) pour les processus d'assemblage automatisés.

Assurance qualité : Fabriqué par Winbond Electronics selon des normes de contrôle qualité strictes afin de garantir une fiabilité et des performances à long terme.

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