W987D2HBJX7E

Winbond W987D2HBJX7E - Circuit intégré de mémoire SDRAM LPSDR mobile haute performance

Le W987D2HBJX7E de Winbond Electronics est un circuit intégré de mémoire SDRAM LPSDR (Mobile Low Power SDR) de 128 Mbits à haute fiabilité, conçu pour les applications de systèmes embarqués exigeantes. Cette solution de mémoire DRAM volatile offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 133 MHz et un temps d'accès ultrarapide de 5,4 ns, ce qui la rend idéale pour les applications aérospatiales, automobiles, industrielles, médicales et de télécommunications où la fiabilité et les performances sont essentielles.

Principales caractéristiques et avantages

• Performances à haute vitesse : une fréquence d’horloge de 133 MHz et un temps d’accès de 5,4 ns garantissent un traitement rapide des données.
• Architecture mémoire optimisée : l’organisation 4M x 32 (capacité totale de 128 Mbits) offre une gestion de la mémoire flexible.
• Faible consommation d'énergie : Technologie LPSDR mobile avec une tension d'alimentation de 1,7 V à 1,95 V pour un fonctionnement écoénergétique
• Large plage de températures de fonctionnement : -25 °C à 85 °C (TC), supporte les conditions environnementales difficiles.
• Boîtier compact pour montage en surface : l’encombrement 90-VFBGA (8x13) optimise l’utilisation de l’espace sur la carte.
• Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Spécifications techniques

Applications

La mémoire W987D2HBJX7E est conçue pour les systèmes embarqués critiques exigeant des solutions de mémoire haute fiabilité, notamment les systèmes de commande de vol aérospatiaux, les modules de sécurité automobile, les contrôleurs d'automatisation industrielle, les équipements de diagnostic médical et les infrastructures de télécommunications. Sa conception robuste et sa large plage de températures de fonctionnement la rendent adaptée aux environnements d'exploitation difficiles.

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