W989D2DBJX6E TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W989D2DBJX6E TR - SDRAM LPSDR mobile haute performance
La mémoire SDRAM W989D2DBJX6E TR de Winbond Electronics offre des performances et une fiabilité exceptionnelles pour les systèmes embarqués critiques. Cette mémoire LPSDR (Mobile Low Power Single Data Rate) de 512 Mbits est conçue pour les applications exigeantes dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel, des dispositifs médicaux et des infrastructures de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances haute vitesse : une fréquence d'horloge de 166 MHz et un temps d'accès de 5 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en temps réel.
- Fonctionnement à faible consommation : une tension d’alimentation de 1,7 V à 1,95 V optimise l’efficacité énergétique des systèmes mobiles et alimentés par batterie.
- Plage de températures robuste : la plage de fonctionnement de -25 °C à 85 °C garantit un fonctionnement fiable dans des environnements industriels difficiles.
- Conception compacte pour montage en surface : le boîtier 90-VFBGA (8x13) optimise l’espace sur la carte.
- Interface LVCMOS : Interface standard de l’industrie simplifiant l’intégration dans les conceptions existantes
- Conforme à la directive RoHS : une fabrication respectueuse de l'environnement répond aux normes réglementaires internationales.
Applications idéales
Cette solution de mémoire haute fiabilité excelle dans les systèmes embarqués exigeant des performances constantes dans des conditions difficiles, notamment les modules de commande automobile, les contrôleurs d'automatisation industrielle, les équipements de diagnostic médical, l'avionique aérospatiale et l'infrastructure des réseaux de télécommunications.
Spécifications techniques complètes
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Winbond Electronics |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - LPSDR mobile |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 16M x 32 |
| Interface mémoire | LVCMOS |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 5 ns |
| Tension - Alimentation | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 90-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 90-VFBGA (8x13) |
| RoHS |

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