Infineon Technologies 1ED21271S65FXUMA1

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15+ $2.13 $31.95
25+ $2.08 $52.00
50+ $1.96 $98.00
100+ $1.73 $173.00
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Quantité
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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits 1ED21x7x
Conditionnement Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR)
Configuration pilotée Côté haut
Type de canal Célibataire
Nombre de conducteurs 1
Type de porte MOSFET SiC
Tension - Alimentation 7,2 V ~ 22 V
Tension logique - VIL, VIH 0,8 V, 2,4 V
Courant - Sortie de crête (Source, Puits) 4A, 4A
Type d'entrée Non-inverseur
Tension côté haut - Max (Bootstrap) 650 V
Temps de montée/descente (Typ) 12 ns, 12 ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TJ)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur PG-DSO-8
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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