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15+ Dhs. 8.34 Dhs. 125.10
25+ Dhs. 8.16 Dhs. 204.00
50+ Dhs. 7.71 Dhs. 385.50
100+ Dhs. 6.80 Dhs. 680.00
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23A1024T-I/SN - Circuit intégré de mémoire SRAM haute performance de 1 Mbit

La 23A1024T-I/SN de Microchip Technology est une SRAM série 1 Mbit haute fiabilité conçue pour les systèmes embarqués critiques nécessitant une mémoire volatile rapide avec des capacités d'interface E/S quadruple SPI.

Principales caractéristiques et avantages

  • Capacité de mémoire de 1 Mbit (128 Ko x 8) – Idéale pour la mise en mémoire tampon des données, le cache et les applications de stockage temporaire.
  • Interface d'E/S quadruple SPI - Débit amélioré grâce à la communication série à quatre voies
  • Fréquence d'horloge de 20 MHz - Opérations de lecture/écriture rapides pour les applications sensibles au temps
  • Large plage de tension de fonctionnement : de 1,7 V à 2,2 V pour les circuits intégrés basse consommation.
  • Plage de températures industrielles - Fonctionnement fiable de -40 °C à 85 °C
  • Boîtier SOIC 8 broches pour montage en surface - Format compact pour les circuits imprimés à espace restreint

Applications

Ce circuit intégré SRAM est conçu pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel, des dispositifs médicaux et des systèmes de télécommunications, où l'intégrité des données et les performances sont primordiales.

Spécifications techniques complètes

Pourquoi choisir HQICKEY pour vos besoins en circuits intégrés de mémoire ?

Chez HQICKEY , nous sommes spécialisés dans la fourniture de composants semi-conducteurs de qualité industrielle, avec une authenticité garantie, des prix compétitifs et un support logistique mondial. Découvrez notre gamme complète de circuits intégrés mémoire pour des solutions SRAM, DRAM et Flash supplémentaires.

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Commandez dès aujourd'hui la 23A1024T-I/SN et bénéficiez d'une mémoire fiable et performante pour votre prochain projet embarqué.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologie des microprocesseurs
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S
Fréquence d'horloge 20 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès -
Tension - Alimentation 1,7 V ~ 2,2 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOIC
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY