Microchip Technology 23LC1024T-E/SN

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Microchip 23LC1024T-E/SN - Circuit intégré de mémoire SRAM haute performance de 1 Mbit

La 23LC1024T-E/SN de Microchip Technology est une SRAM série 1 mégabit haut de gamme conçue pour les systèmes embarqués critiques exigeant une mémoire volatile rapide et fiable, dotée d'une endurance exceptionnelle. Destinée aux applications aérospatiales, automobiles, de contrôle industriel et de télécommunications, cette SRAM haute fiabilité offre des performances supérieures sur une large plage de températures.

Principales caractéristiques et avantages

  • Interface d'E/S quadruple SPI haute vitesse : permet un transfert de données rapide jusqu'à une fréquence d'horloge de 16 MHz pour les applications sensibles au temps.
  • Organisation flexible de la mémoire : l’architecture 128 Ko x 8 bits optimise l’accès au niveau octet et simplifie l’intégration.
  • Large plage de tension de fonctionnement : la plage d’alimentation de 2,5 V à 5,5 V assure la compatibilité avec diverses architectures système.
  • Plage de température étendue : fonctionnement de -40 °C à +125 °C (TA) garantissant la fiabilité dans les environnements industriels et automobiles difficiles.
  • Boîtier compact pour montage en surface : l’ encombrement de 8 boîtiers SOIC (0,154 pouce, largeur de 3,90 mm) permet de gagner de la place sur la carte dans les conceptions denses.
  • Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales en matière de fabrication sans plomb

Applications idéales

Cette mémoire SRAM est parfaitement adaptée à la mise en mémoire tampon des données, à la mémoire cache, au stockage du firmware, aux registres de configuration et à l'enregistrement des données en temps réel dans les contrôleurs embarqués, les automates programmables industriels, les calculateurs automobiles, les dispositifs médicaux et les équipements de télécommunications.

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologie des microprocesseurs
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 8
Interface mémoire SPI - Quad E/S
Fréquence d'horloge 16 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès -
Tension - Alimentation 2,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-SOIC
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY