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La puce Microchip 23LCV1024-E/P est une mémoire SRAM synchrone haute performance de 1 Mbit conçue pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage de données volatile rapide et fiable. Ce circuit intégré de mémoire de qualité industrielle est doté d'une interface SPI double E/S pour un transfert de données efficace jusqu'à 20 MHz, ce qui le rend idéal pour la mise en mémoire tampon, la mémoire cache et le stockage temporaire dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile et des systèmes de contrôle industriels.

Principales caractéristiques et avantages :

  • La capacité de mémoire de 1 Mbit (128 Ko x 8) offre un espace de stockage suffisant pour le traitement des données en temps réel.
  • L'interface SPI Dual E/S permet une communication série à haut débit avec un nombre minimal de broches.
  • La large plage de tension (2,5 V à 5,5 V) assure la compatibilité avec diverses plateformes de microcontrôleurs.
  • La plage de températures étendue (-40 °C à 125 °C) permet de résister aux environnements industriels difficiles.
  • Le boîtier traversant 8-DIP simplifie le prototypage et l'assemblage manuel
  • Le fonctionnement synchrone à une fréquence d'horloge de 20 MHz offre des performances de lecture/écriture rapides.
  • Faible consommation d'énergie, idéale pour les conceptions alimentées par batterie et économes en énergie.

Spécifications techniques :

Applications :

Le 23LCV1024-E/P est parfaitement adapté aux contrôleurs d'automatisation industrielle, aux calculateurs automobiles, aux dispositifs médicaux, aux systèmes d'acquisition de données, aux plateformes informatiques embarquées et à toute application nécessitant un stockage de données temporaire rapide avec une consommation d'énergie minimale.

Qualité et conformité :

Ce composant est conforme aux normes RoHS et bénéficie de la réputation de qualité et de fiabilité de Microchip Technology dans la fabrication de semi-conducteurs.

Produits associés :

Découvrez notre gamme complète de solutions de semi-conducteurs de mémoire, notamment les dispositifs EEPROM, Flash, DRAM et SRAM, pour répondre aux besoins de vos systèmes embarqués.

Pour découvrir davantage de composants semi-conducteurs et de ressources techniques, visitez notre page d'accueil ou consultez notre blog d'actualités et notre blog technique pour les dernières mises à jour et notes d'application.

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologie des microprocesseurs
Gamme de produits
Conditionnement Tube |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Synchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 8
Interface mémoire SPI - Double E/S
Fréquence d'horloge 20 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès -
Tension - Alimentation 2,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage trou traversant
Emballage / Étui 8-DIP (0,300", 7,62 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-PDIP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY