Microchip Technology 23LCV512T-I/ST

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Microchip 23LCV512T-I/ST - Circuit intégré de mémoire SRAM synchrone de 512 kbits

Le 23LCV512T-I/ST de Microchip Technology est un circuit intégré de mémoire SRAM synchrone 512 kbits hautes performances, conçu pour les systèmes embarqués nécessitant un stockage de données volatile rapide et fiable. Ce composant CMS est doté d'une interface SPI double E/S pour un transfert de données efficace à des fréquences d'horloge allant jusqu'à 20 MHz, ce qui le rend idéal pour l'automatisation industrielle, l'acquisition de données et les applications de microcontrôleurs.

Principales caractéristiques et avantages

  • Capacité mémoire de 512 Kbits : organisée en 64 K x 8, offrant un espace de stockage suffisant pour la mise en mémoire tampon et les opérations sur les données temporaires.
  • Interface SPI double E/S : permet une communication série à haut débit avec un nombre minimal de broches, simplifiant la conception du circuit imprimé
  • Large plage de tension de fonctionnement : la plage d’alimentation de 2,5 V à 5,5 V assure la compatibilité avec les systèmes 3,3 V et 5 V.
  • Plage de températures industrielles : Fonctionnement prévu de -40 °C à 85 °C, adapté aux environnements difficiles.
  • Boîtier 8-TSSOP compact : conception à montage en surface peu encombrante (largeur de 4,40 mm) pour les agencements de cartes haute densité
  • Fonctionnement synchrone : la fréquence d'horloge de 20 MHz offre des performances de lecture/écriture rapides pour les applications critiques en termes de temps.
  • Conforme à la directive RoHS : Répond aux normes environnementales en matière de fabrication sans plomb

Applications typiques

Ce circuit intégré SRAM est parfaitement adapté aux systèmes embarqués nécessitant un stockage de données temporaire et rapide, notamment les contrôleurs industriels, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux, les équipements de communication et les systèmes de conservation de données avec batterie de secours. Son interface SPI à double E/S simplifie le câblage tout en garantissant un débit élevé.

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Spécifications techniques

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologie des microprocesseurs
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Synchrone
Taille de la mémoire 512 kbits
Organisation de la mémoire 64K x 8
Interface mémoire SPI - Double E/S
Fréquence d'horloge 20 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès -
Tension - Alimentation 2,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-TSSOP (0,173", largeur 4,40 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 8-TSSOP
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY