Microchip Technology 24CS512T-E/Q6B66KVAO

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La mémoire EEPROM série I2C 24CS512T-E/Q6B66KVAO de Microchip (référence 24CS512T-E/Q6B66KVAO) de 512 kbits offre une haute fiabilité et est conçue pour les applications exigeantes des secteurs industriel, automobile et des systèmes embarqués. Ce dispositif de mémoire non volatile dispose d'une organisation de 64 Ko x 8 et d'une interface I2C supportant des fréquences d'horloge jusqu'à 3,4 MHz, ce qui la rend idéale pour l'enregistrement de données, le stockage de configurations et la conservation de paramètres dans les systèmes critiques.

Avec une large plage de tension de fonctionnement de 1,7 V à 5,5 V et une plage de températures de fonctionnement étendue de -40 °C à 125 °C, cette EEPROM offre une fiabilité exceptionnelle dans les environnements difficiles. Son boîtier CMS compact 8-UDFN (2 x 3 mm) avec technologie de flancs mouillables garantit une inspection rigoureuse des joints de soudure et une stabilité mécanique à long terme.


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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologie des microprocesseurs
Gamme de produits
Conditionnement Bande et bobine (TR) |
Type de mémoire Non volatil
Format de mémoire EEPROM
Technologie EEPROM
Taille de la mémoire 512 kbits
Organisation de la mémoire 64K x 8
Interface mémoire I2C
Fréquence d'horloge 3,4 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page 5 ms
Temps d'accès 400 ns
Tension - Alimentation 1,7 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface, flanc mouillable
Emballage / Étui Coussinet exposé 8-UFDFN
Emballage du dispositif du fournisseur 8-UDFN (2x3)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY