Infineon Technologies 2ED2304S06FXUMA1

Passer aux informations produits
1 de 1
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
Prix habituel $1.05
Prix habituel $1.10 Prix promotionnel $1.05
Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 $1.05 $1.05
15+ $1.01 $15.15
25+ $0.99 $24.75
50+ $0.94 $47.00
100+ $0.83 $83.00
N+ $0.17 Price Inquiry
Frais d'expédition calculés à l'étape de paiement.
Quantité
Component Recycling

Request Quote / Inquiry

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Technologies Infineon
Gamme de produits
Conditionnement Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR)
Configuration pilotée Demi-pont
Type de canal Synchrone
Nombre de conducteurs 2
Type de porte IGBT, MOSFET (canal N)
Tension - Alimentation 10 V ~ 17,5 V
Tension logique - VIL, VIH 1,1 V, 1,7 V
Courant - Sortie de crête (Source, Puits) 360 mA, 700 mA
Type d'entrée CMOS
Tension côté haut - Max (Bootstrap) 650 V
Temps de montée/descente (Typ) 48 ns, 24 ns
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 8-SOIC (0,154", largeur 3,90 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur PG-DSO-8-910
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY