Renesas Electronics Corporation 6116LA20SOGI8 - Puce mémoire SRAM Renesas 16 Kbits 20 ns SOIC-24

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15+ Dhs. 16.20 Dhs. 243.00
25+ Dhs. 15.85 Dhs. 396.25
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Renesas 6116LA20SOGI8 - Mémoire SRAM asynchrone haute vitesse 16 Kbits

La 6116LA20SOGI8 de Renesas Electronics est une mémoire vive statique asynchrone (SRAM) haute performance de 16 kbits (2K x 8), conçue pour les applications exigeant des temps d'accès rapides et un stockage de données fiable. Avec un temps d'accès de 20 ns et une interface parallèle, cette puce SRAM offre des performances exceptionnelles pour les systèmes embarqués, les commandes industrielles, les équipements de télécommunications et les applications aérospatiales.

Principales caractéristiques et avantages

  • Temps d'accès ultra-rapide de 20 ns – Idéal pour la mise en mémoire tampon de données à haute vitesse et les applications de cache.
  • Capacité de mémoire de 16 Kbits avec une organisation 2K x 8 pour une gestion flexible des données
  • Interface parallèle - Intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs
  • Large plage de tension de fonctionnement (4,5 V à 5,5 V) pour une compatibilité système polyvalente
  • Plage de températures étendue (-40 °C à 85 °C) adaptée aux environnements industriels et automobiles
  • Boîtier SOIC-24 à montage en surface - Conception compacte pour les circuits imprimés modernes
  • Conforme à la directive RoHS - Répond aux normes environnementales en matière de fabrication sans plomb
  • Technologie SRAM volatile - Aucune limitation de cycles d'écriture, endurance illimitée

Applications

Cette puce mémoire est idéale pour les systèmes aérospatiaux, l'électronique automobile, l'automatisation industrielle, les infrastructures de télécommunications, les dispositifs médicaux et les plateformes informatiques embarquées nécessitant un stockage de données fiable et rapide avec un support à long terme.

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Spécifications techniques complètes

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits
Conditionnement Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 16 kbits
Organisation de la mémoire 2K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 20 ns
Temps d'accès 20 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 24-SOIC (0,295", largeur 7,50 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 24-SOIC
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY