Renesas Electronics Corporation 6116SA20SOG8
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 16.18 | Dhs. 16.18 |
| 15+ | Dhs. 15.69 | Dhs. 235.35 |
| 25+ | Dhs. 15.35 | Dhs. 383.75 |
| 50+ | Dhs. 14.49 | Dhs. 724.50 |
| 100+ | Dhs. 12.79 | Dhs. 1,279.00 |
| N+ | Dhs. 2.56 | Price Inquiry |
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Renesas 6116SA20SOG8 - SRAM asynchrone haute performance 16 Kbits
La 6116SA20SOG8 de Renesas Electronics Corporation est une mémoire SRAM statique de 16 Kbits haute fiabilité, conçue pour les applications exigeant des temps d'accès rapides et une faible consommation d'énergie. Cette SRAM asynchrone dispose d'une organisation mémoire 2K x 8 et d'un temps d'accès remarquable de 20 ns, ce qui la rend idéale pour les systèmes embarqués, le contrôle industriel, les équipements de télécommunications et les applications de mise en mémoire tampon de données.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 20 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
- Alimentation flexible : fonctionne de 4,5 V à 5,5 V, compatible avec les systèmes 5 V standard.
- Interface parallèle : intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs
- Conception pour montage en surface : boîtier SOIC 24 broches pour une implantation efficace sur le circuit imprimé et un assemblage automatisé
- Plage de températures industrielles : Fonctionnement fiable de 0 °C à 70 °C
- Conforme à la norme RoHS : construction écologique et sans plomb
Applications typiques
Cette mémoire SRAM polyvalente est idéale pour la mémoire cache, les tables de consultation, les tampons FIFO, le stockage de données des microcontrôleurs, les systèmes d'automatisation industrielle et les mises à niveau des systèmes existants nécessitant des solutions de mémoire volatile fiables.
Spécifications techniques complètes
Toutes les spécifications sont sujettes à la fiche technique du fabricant. Contactez-nous pour connaître les tarifs dégressifs, les options d'emballage personnalisées et l'assistance technique.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 16 kbits |
| Organisation de la mémoire | 2K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 20 ns |
| Temps d'accès | 20 ns |
| Tension - Alimentation | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 24-SOIC (0,295", largeur 7,50 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 24-SOIC |
| RoHS |

6116SA20SOG8.pdf