Renesas Electronics Corporation 71016S12PHG8
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 12.14 | Dhs. 12.14 |
| 15+ | Dhs. 11.75 | Dhs. 176.25 |
| 25+ | Dhs. 11.49 | Dhs. 287.25 |
| 50+ | Dhs. 10.85 | Dhs. 542.50 |
| 100+ | Dhs. 9.58 | Dhs. 958.00 |
| N+ | Dhs. 1.92 | Price Inquiry |
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Renesas 71016S12PHG8 - SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit
La 71016S12PHG8 de Renesas Electronics Corporation est une SRAM asynchrone haut de gamme de 1 mégabit conçue pour les applications critiques exigeant un accès mémoire ultrarapide et une fiabilité exceptionnelle. Avec un temps d'accès fulgurant de 12 ns et une organisation mémoire de 64 Ko x 16, cette SRAM volatile offre les performances requises par vos systèmes à haute fiabilité.
Principales caractéristiques et avantages
- Performances ultra-rapides : un temps d’accès et un temps de cycle d’écriture de 12 ns garantissent un traitement rapide des données pour les applications critiques en temps réel.
- Organisation flexible de la mémoire : la configuration 64 Ko x 16 offre un équilibre optimal entre densité et accessibilité
- Interface parallèle : Intégration simple avec les architectures de bus parallèles existantes
- Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V et température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
- Conception compacte : le boîtier CMS 44-TSOP II (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) optimise l’espace sur la carte.
- Conforme à la directive RoHS : une fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales
Applications idéales
Cette mémoire SRAM haute fiabilité est parfaitement adaptée à l'avionique aérospatiale, aux systèmes de contrôle automobile, à l'automatisation industrielle, aux dispositifs médicaux, aux infrastructures de télécommunications et à d'autres applications critiques où l'intégrité et la vitesse des données sont primordiales.
Spécifications techniques
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 64K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Temps d'accès | 12 ns |
| Tension - Alimentation | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |  |
71016S12PHG8.pdf