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25+ Dhs. 14.40 Dhs. 360.00
50+ Dhs. 13.60 Dhs. 680.00
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Renesas 71016S15PHG8 - SRAM asynchrone haute vitesse 1 Mbit

La Renesas 71016S15PHG8 est une mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit conçue pour les applications exigeant un accès mémoire parallèle rapide et fiable. Avec un temps d'accès de 15 ns et une organisation de 64 Ko x 16, cette SRAM offre une vitesse exceptionnelle pour les systèmes embarqués, les commandes industrielles, les télécommunications et les applications automobiles.

Principales caractéristiques et avantages :

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 15 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques.
  • Organisation flexible de la mémoire : l’interface parallèle 64 Ko x 16 prend en charge diverses architectures système.
  • Large plage de fonctionnement : tension d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V et température de fonctionnement de 0 °C à 70 °C
  • Conception pour montage en surface : boîtier 44-TSOP II optimisé pour l’assemblage automatisé et les conceptions à espace restreint.
  • Conformité totale : certifié RoHS/REACH pour la sécurité environnementale et l'accès au marché mondial
  • Assistance tout au long du cycle de vie : garantie par l’engagement de Renesas en matière de disponibilité des produits pour les applications critiques.

Applications :

Idéal pour les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'automatisation industrielle, des dispositifs médicaux, des équipements de télécommunications et tout système à haute fiabilité nécessitant une mise en mémoire tampon rapide et non volatile.

Distribution autorisée :

En tant que distributeur agréé Renesas, nous garantissons des composants 100% authentiques avec une traçabilité complète du fabricant, des options d'emballage d'origine (bande prédécoupée ou bande et bobine) et une assistance technique complète.

Spécifications techniques complètes :

Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits
Conditionnement Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR)
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 64K x 16
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 15 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 44-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY