Renesas Electronics Corporation 71016S20PHG8
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 12.14 | Dhs. 12.14 |
| 15+ | Dhs. 11.75 | Dhs. 176.25 |
| 25+ | Dhs. 11.49 | Dhs. 287.25 |
| 50+ | Dhs. 10.85 | Dhs. 542.50 |
| 100+ | Dhs. 9.58 | Dhs. 958.00 |
| N+ | Dhs. 1.92 | Price Inquiry |
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Renesas 71016S20PHG8 - SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit
La mémoire SRAM 71016S20PHG8 de Renesas Electronics Corporation offre des performances exceptionnelles pour les applications critiques exigeant une mémoire vive statique (SRAM) rapide et fiable. Cette SRAM asynchrone de 1 Mbit dispose d'une organisation mémoire de 64 Ko x 16 et d'un temps d'accès ultrarapide de 20 ns, ce qui la rend idéale pour la mise en mémoire tampon de données à haute vitesse, la mémoire cache et le traitement en temps réel dans les systèmes aérospatiaux, automobiles, de contrôle industriel et de télécommunications.
Principales caractéristiques et avantages
- Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 20 ns garantit une récupération rapide des données pour les opérations urgentes.
- Organisation flexible de la mémoire : interface parallèle 64 Ko x 16 optimisée pour l’intégration dans les systèmes embarqués
- Large plage de tension de fonctionnement : alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une compatibilité avec les systèmes anciens et modernes.
- Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA)
- Boîtier CMS : 44-TSOP II (0,400 pouce, largeur 10,16 mm) pour des circuits imprimés compacts.
- Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes réglementaires internationales
Spécifications techniques
Applications
Le 71016S20PHG8 est conçu pour les environnements exigeants où la fiabilité et la vitesse sont primordiales :
- Systèmes avioniques et de commandes de vol aérospatiales
- calculateurs automobiles et modules critiques pour la sécurité
- Automatisation industrielle et automates programmables
- équipement de diagnostic médical
- Infrastructure de télécommunications
- Systèmes d'acquisition de données à haute vitesse
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 64K x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 20 ns |
| Temps d'accès | 20 ns |
| Tension - Alimentation | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 44-TSOP (0,400", largeur 10,16 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 44-TSOP II |
| RoHS |  |
71016S20PHG8.pdf