Renesas Electronics Corporation 71024S12TYG8
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 9.14 | Dhs. 9.14 |
| 15+ | Dhs. 8.86 | Dhs. 132.90 |
| 25+ | Dhs. 8.67 | Dhs. 216.75 |
| 50+ | Dhs. 8.19 | Dhs. 409.50 |
| 100+ | Dhs. 7.22 | Dhs. 722.00 |
| N+ | Dhs. 1.44 | Price Inquiry |
Request Quote / Inquiry
La 71024S12TYG8 de Renesas Electronics Corporation est une SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit conçue pour les systèmes embarqués exigeant une mémoire volatile rapide et fiable. Grâce à son architecture 128 Ko x 8 et son temps d'accès ultrarapide de 12 ns, cette SRAM à interface parallèle offre des performances exceptionnelles pour les applications critiques des secteurs industriel, des télécommunications et automobile.
Caractéristiques principales :
- Capacité de mémoire de 1 Mbit avec une organisation de 128 Ko x 8
- Temps d'accès ultra-rapide de 12 ns pour des opérations de données à haut débit
- Interface parallèle asynchrone pour une intégration simple
- Large plage de tension de fonctionnement : 4,5 V à 5,5 V
- Plage de températures industrielles : 0 °C à 70 °C
- Boîtier CMS 32-SOJ pour une conception de PCB compacte
- Conforme à la directive RoHS pour la sécurité environnementale
Cette mémoire SRAM est idéale pour les applications nécessitant une mise en mémoire tampon de données à haute vitesse, une mémoire cache ou un stockage temporaire de données dans les contrôleurs embarqués, les équipements de réseau et les systèmes d'automatisation industrielle.
Spécifications techniques
Produits et ressources connexes
Découvrez notre gamme complète de solutions de mémoire pour vos systèmes embarqués. Consultez notre page d'accueil pour découvrir notre catalogue complet de composants semi-conducteurs haute fiabilité, ou visitez notre blog technique pour les dernières actualités du secteur et les annonces de produits.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 12ns |
| Temps d'accès | 12 ns |
| Tension - Alimentation | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 32-BSOJ (0,300", largeur 7,62 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 32-SOJ |
| RoHS |  |
71024S12TYG8.pdf