Renesas Electronics Corporation 71024S15TYG8
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | Dhs. 12.70 | Dhs. 12.70 |
| 15+ | Dhs. 12.30 | Dhs. 184.50 |
| 25+ | Dhs. 12.03 | Dhs. 300.75 |
| 50+ | Dhs. 11.36 | Dhs. 568.00 |
| 100+ | Dhs. 10.03 | Dhs. 1,003.00 |
| N+ | Dhs. 2.01 | Price Inquiry |
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Renesas 71024S15TYG8 - Circuit intégré de mémoire SRAM asynchrone haute performance de 1 Mbit
Le 71024S15TYG8 de Renesas Electronics Corporation est une mémoire SRAM asynchrone de 1 Mbit haute fiabilité, conçue pour les applications exigeantes des secteurs industriel, automobile, aérospatial et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire à interface parallèle offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès de 15 ns et fonctionne sous une tension d'alimentation standard de 4,5 V à 5,5 V.
Principales caractéristiques et avantages
- Capacité de mémoire de 1 Mbit - Organisation 128 Ko x 8 pour un stockage de données flexible
- Temps d'accès ultra-rapide de 15 ns – Garantit une récupération rapide des données pour les applications critiques en termes de temps.
- Fonctionnement asynchrone – Simplifie la conception du système grâce à l'absence de synchronisation d'horloge requise
- Large plage de tension de fonctionnement : alimentation de 4,5 V à 5,5 V pour une intégration système polyvalente.
- Plage de températures industrielles - Fonctionnement fiable de 0°C à 70°C (TA)
- Boîtier CMS - 32-BSOJ/32-SOJ pour un assemblage efficace des circuits imprimés
- Conforme à la directive RoHS - Fabrication respectueuse de l'environnement
Spécifications techniques
Applications
La mémoire SRAM 71024S15TYG8 est idéale pour les applications exigeant un stockage de données rapide et fiable, notamment les systèmes embarqués, les contrôleurs industriels, les équipements réseau, les dispositifs médicaux et l'électronique automobile. Son architecture asynchrone la rend parfaitement adaptée aux applications de mémoire cache, de stockage tampon et d'enregistrement de données.
Qualité et fiabilité
Fabriqué par Renesas Electronics Corporation, leader mondial des solutions semi-conducteurs, ce circuit intégré SRAM répond à des normes de qualité rigoureuses et est conforme à la directive RoHS pour une gestion environnementale responsable. Disponible en conditionnement bande coupée (CT) et bande et bobine (TR) pour une plus grande flexibilité d'approvisionnement.
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| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Société électronique Renesas |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande coupée (CT) | Bande et bobine (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de la mémoire | 1 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 128K x 8 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | - |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 15 ns |
| Tension - Alimentation | 4,5 V ~ 5,5 V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 32-BSOJ (0,300", largeur 7,62 mm) |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 32-SOJ |
| RoHS |  |
71024S15TYG8.pdf