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Promotion Épuisé
Quantity Unit Price Total Price
1 Dhs. 355,884.59 Dhs. 355,884.59
15+ Dhs. 344,646.13 Dhs. 5,169,691.95
25+ Dhs. 337,153.82 Dhs. 8,428,845.50
50+ Dhs. 318,423.06 Dhs. 15,921,153.00
100+ Dhs. 280,961.52 Dhs. 28,096,152.00
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71024S15YG8 - Circuit intégré de mémoire SRAM haute performance de 1 Mbit

La 71024S15YG8 de Renesas Electronics Corporation est une SRAM asynchrone (mémoire vive statique) de 1 Mbit haute fiabilité, conçue pour les applications critiques dans les secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, du contrôle industriel, des dispositifs médicaux et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire volatile offre des performances exceptionnelles avec un temps d'accès ultrarapide de 15 ns et fonctionne de manière fiable dans les plages de températures industrielles standard.

Principales caractéristiques et avantages

  • Accès ultra-rapide : un temps d’accès de 15 ns garantit une récupération rapide des données pour les applications sensibles au temps.
  • Organisation optimale de la mémoire : la configuration 128K x 8 offre une architecture de stockage de données flexible
  • Interface parallèle : Intégration simple avec les microcontrôleurs et les processeurs
  • Large plage de tension de fonctionnement : la plage d’alimentation de 4,5 V à 5,5 V permet de s’adapter à différentes conceptions de systèmes.
  • Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 70 °C (TA)
  • Boîtier compact : boîtier de montage en surface 32-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm)
  • Technologie asynchrone : aucun signal d’horloge n’est requis, ce qui simplifie la conception du système.

Applications idéales

Ce circuit intégré de mémoire SRAM est parfaitement adapté pour :

  • Systèmes aérospatiaux et avioniques nécessitant une mémoire à haute fiabilité
  • Unités de commande électroniques automobiles (ECU) et systèmes de sécurité
  • équipements d'automatisation industrielle et de contrôle des processus
  • Dispositifs de diagnostic et de surveillance médicale
  • Équipements d'infrastructure et de réseau de télécommunications
  • Applications de mise en mémoire tampon et de mémoire cache
  • Systèmes embarqués nécessitant un stockage rapide et volatile

Spécifications techniques

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Attributs du produit Valeur de la propriété
Fabricant Société électronique Renesas
Gamme de produits
Conditionnement |
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire SRAM
Technologie SRAM - Asynchrone
Taille de la mémoire 1 Mbit
Organisation de la mémoire 128K x 8
Interface mémoire Parallèle
Fréquence d'horloge -
Écrire le temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 15 ns
Tension - Alimentation 4,5 V ~ 5,5 V
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TA)
Grade -
Qualification -
Type de montage Montage en surface
Emballage / Étui 32-BSOJ (0,400", largeur 10,16 mm)
Emballage du dispositif du fournisseur 32-SOJ
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY